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GV&GA

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電鏡樣品等離子清洗機

GV/GA是用于清洗和儲存SEM&TEM電鏡桿的高真空處理腔。

電鏡樣品等離子清洗 & 高真空樣品保護腔 GV/GA
 

GV/GA是用于清洗和儲存SEM&TEM電鏡桿的高真空處理腔。使用A05型GV/GA DS等離子清洗器可以極大的減少EM腔體中沉積的碳氫化合物污染。

GV10x安裝在灰化器上,通過等離子灰化處理,EM腔體的污染能得到明顯改善。通過溫和的氧離子灰化處理可對樣品和TEM電鏡桿表面進行很好的清洗且不對樣品產生損傷,詳細介紹參考文獻: Cleaning TEM Samples on Carbon Films Microscopy-Today  January 2014 for a detailed discussion.

等離子清洗機通過加速離子從而達到濺射或者刻蝕樣品,而GV/GA中使用氧原子或氫原子通過化學反應消除碳氫化合物。整個過程中并沒有熱量或者離子轟擊產生。氧氣將碳氫化合物轉化為CO2 CO 或 H2O分子從而通過真空泵抽走。因此,整個處理過程能有效消除碳氫化合物而絕不會損壞樣品。

建議使用60l/m的真空泵和80l/s的TMP。


        
Bench Top A05 GA Chamber P5 Source            2U A05 GA Chamber P5 Source     

特點:

• 新型腔體 A05結合GV10X等離子清洗機使用,使用兩種控制器,Bench Top可以直接在控制器上設置參數。2U需要連接電腦使用
• 適用于所有TEM的電鏡樣品桿
• 適用于從腔體前面插入清洗
• 可同時清洗和保存3個電鏡桿
• 有效保存樣品防止高分辨率成像退化
• 防止樣品因SEM&TEM腔體污染導致內部顯微結構中產生氣相
• 操作簡單,使用極為方便。





功率:5 -99 W 連續可調等離子功率

工作環境: - 2 Torr to <5 mTorr (measured at the Source)
o 在較高的真空度下(大于50 毫托),清洗氣體的平均自由程很短,允許在靠近等離子源的區域去除污染。
o 在較低的真空度下(小于50 毫托),清洗氣體的平均自由程比較長,能均勻高效的清除碳污染。
o 整個清洗反應過程發生在分子泵運行的狀態下,無需關閉抽真空系統。

氣源: 使用中性氧或氫的自由基通過非動力學過程灰化氣相碳氫化合物和表面碳。

控制系統:手動,PC控制,皮拉尼真空計(選配)
          時間:0~999分鐘,精度:秒
          實時顯示設置值和實際參數

軟件:   基于WINDOWS XP系統,可與電鏡操作軟件對接,編入電鏡操作軟件。



   



 
 

清洗前:(成像條件:加速電壓1.2KV;144pa束電流;10分鐘的掃描時間;6.08-10 6托腔壓力)


清洗后:(成像條件:加速電壓1.2KV;144pa束電流; 6.08-10 6托腔壓力)

清洗條件:45瓦;8分鐘(約3分鐘和5分鐘) 7.32-10-4托腔壓力        50瓦; 13分鐘(總清潔時間)   7.53-10-4托腔壓力

 
鄰區掃描:
 
注意:經過最初的清潔時間掃三分鐘,掃描10分鐘后只有輕微污染的矩形是可見的      共13分鐘后清洗時間。描后10分鐘內無污染是可見的                     

 
     
         清洗前                                                                清洗后



 
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